Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 240

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RUQ050N02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRUQ050N02FRATR КорпусTSMT6
59.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RUR020N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRUR020N02TL КорпусTSMT3
140.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3
0.0
RUR040N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяRUR040N02FRATL КорпусTSMT3
175.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3
0.0
RUR040N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяRUR040N02TL КорпусTSMT3
167.80 ₽
Доступность: 2770 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт
0.0
RV1C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV1C002UNT2CL КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD
27.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт
0.0
RV2C002UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV2C002UNT2L КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
57.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3
0.0
RV2C010UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV2C010UNT2L КорпусDFN1006-3 МонтажSMD
76.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт
0.0
RV3C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV3C002UNT2CL КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD
80.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W
0.0
RV8L002SNHZGG2CR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV8L002SNHZGG2CR КорпусDFN1010-3W МонтажSMD
112.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RVQ040N05TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC Код производителяRVQ040N05TR КорпусTSMT6
144.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
0.0
RXH090N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяRXH090N03TB1 КорпусSOP8
270.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
0.0
RXH125N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC Код производителяRXH125N03TB1 КорпусSOP8
232.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
0.0
RYC002N05T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRYC002N05T316 КорпусSST3 МонтажSMD
70.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3
0.0
RYM002N05T2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRYM002N05T2CL КорпусVMT3 МонтажSMD
71.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт
0.0
S1M1000170J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC Код производителяS1M1000170J КорпусD2PAK-7
601.36 ₽
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

S1M1000170JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт
0.0
S1M1000170JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяS1M1000170J КорпусD2PAK-7
659.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

S2M0025120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; Idm: 250А; 311Вт
0.0
S2M0025120J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC Код производителяS2M0025120J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0025120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; Idm: 250А; 311Вт" 1.

S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL
0.0
S2M0080120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяS2M0080120T КорпусTOLL
826.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL" 1.

S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт
0.0
S2M0120120J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29,6нC Код производителяS2M0120120J КорпусD2PAK-7
1 058.77 ₽
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

S2M0120120JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт
0.0
S2M0120120JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC Код производителяS2M0120120J КорпусD2PAK-7
1 235.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж