Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 244

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI1428EDH-T1-GE3
51.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1428EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSI1442DH-T1-GE3 КорпусSC70-6, SOT363
70.70 
Доступность: 2149 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI1480DH-T1-GE3 КорпусSC70-6, SOT363
38.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1480DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,6А; Idm: 7А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC Код производителяSI1902DL-T1-E3 КорпусSC70
91.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC Код производителяSI1922EDH-T1-GE3
107.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяSI1926DL-T1-E3 КорпусSC70-6, SOT363
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1926DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 370мА; Idm: 0,65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяSI1926DL-T1-GE3 КорпусSC70-6, SOT363
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1926DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 370мА; Idm: 0,65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI2300DS-T1-GE3 КорпусSOT23
61.33 
Доступность: 4651 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2300DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSI2302A-TP КорпусSOT23
97.10 
Доступность: 4941 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302A-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяSI2302CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
123.51 
Доступность: 5440 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяSI2302DDS-T1-GE3 КорпусSOT23
95.40 
Доступность: 4185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI2304BDS-T1-E3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,2А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI2304BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
55.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC Код производителяSI2304DDS-T1-GE3 КорпусSOT23
81.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC Код производителяSI2306BDS-T1-E3 КорпусSOT23
126.92 
Доступность: 1503 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4500000000нC Код производителяSI2306BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2306BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 20А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяSI2308BDS-T1-E3 КорпусSOT23
116.70 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC Код производителяSI2308BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
117.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI2308CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
74.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI2312BDS-T1-E3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 5А; Idm: 15А; 1,25Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж