Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 246

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI2366DS-T1-BE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2366DS-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI2366DS-T1-GE3 КорпусSOT23
123.51 
Доступность: 1218 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2366DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI2374DS-T1-BE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2374DS-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC Код производителяSI2374DS-T1-GE3 КорпусSOT23
84.33 
Доступность: 65 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2374DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,7А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC Код производителяSI2392ADS-T1-GE3 КорпусSOT23
139.69 
Доступность: 2785 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2392ADS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC Код производителяSI2392DS-T1-GE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2392DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,34нC Код производителяSI3402-TP КорпусSOT23
75.81 
Доступность: 2934 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3402-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,22нC Код производителяSI3404-TP КорпусSOT23
70.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3404-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 30А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSI3410DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3410DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А; 4,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI3420A-TP КорпусSOT23
80.92 
Доступность: 1306 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3420A-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,8А; Idm: 30А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,5нC Код производителяSI3424CDV-T1-BE3 КорпусTSOP6
35.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3424CDV-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 20А; 3,6Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,5нC Код производителяSI3424CDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3424CDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 20А; 2,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC Код производителяSI3430DV-T1-E3 КорпусTSOP6
93.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3430DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC Код производителяSI3430DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
93.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3430DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI3438DV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3438DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 7,4А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI3438DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3438DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 7,4А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI3440ADV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3440ADV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,2А; Idm: 4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI3440DV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI3440DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
171.21 
Доступность: 1733 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI3442BDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3442BDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,2А; Idm: 20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж