Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 266

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF830STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
192.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF840AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
192.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF840S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
201.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
192.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF20S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
192.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF20STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
313.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF30S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,3А; Idm: 14А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR010-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
171.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR024-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
142.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
88.69 
Доступность: 79 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60ATRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR210TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,7А; Idm: 10А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR220-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 19А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж