Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 272

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
244.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора123нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR164DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR166DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
195.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
42.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR172ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
171.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR178DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 430А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 137А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
185.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 117А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
185.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 130А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
106.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR184DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 73А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
113.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR186DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 57Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
207.19 
Доступность: 788 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR186LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 36Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
215.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR404DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
102.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR410DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR414DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; Idm: 70А; 53Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR416DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж