Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 265

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIHD690N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 11А; 62,5Вт
0.0
SIHD690N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHD690N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
350.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD690N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 11А; 62,5Вт" 1.

SIHD6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD6N62E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSIHD6N62E-GE3 КорпусDPAK, TO252
245.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHD6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD6N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIHD6N65E-GE3 КорпусDPAK, TO252
399.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHD6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт
0.0
SIHD6N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,5нC Код производителяSIHD6N80AE-GE3 КорпусDPAK, TO252
352.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

SIHD6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,4А; Idm: 15А; 78Вт
0.0
SIHD6N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIHD6N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
511.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

SIHD7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD7N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSIHD7N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
356.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHD9N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD9N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIHD9N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
477.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD9N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHF530S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт
0.0
SIHF530S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSIHF530S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
154.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF530S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт" 1.

SIHF530STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт
0.0
SIHF530STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSIHF530STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
242.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF530STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт" 1.

SIHF530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт
0.0
SIHF530STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSIHF530STRR-GE3 КорпусD2PAK, TO263
154.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт" 1.

SIHF540S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 110А; 150Вт
0.0
SIHF540S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIHF540S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
311.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF540S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 110А; 150Вт" 1.

SIHF610S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт
0.0
SIHF610S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC Код производителяSIHF610S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
155.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF610S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт" 1.

SIHF620S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 18А; 50Вт
0.0
SIHF620S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIHF620S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
157.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF620S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 18А; 50Вт" 1.

SIHF620STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 18А; 50Вт
0.0
SIHF620STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIHF620STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
190.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF620STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 18А; 50Вт" 1.

SIHF634STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5,1А; Idm: 32А; 74Вт
0.0
SIHF634STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIHF634STRR-GE3 КорпусD2PAK, TO263
224.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF634STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5,1А; Idm: 32А; 74Вт" 1.

SIHF640S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт
0.0
SIHF640S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIHF640S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
500.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF640S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт" 1.

SIHF644S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт
0.0
SIHF644S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяSIHF644S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
241.91 ₽
Доступность: 475 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHF644S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт" 1.

SIHF644STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт
0.0
SIHF644STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяSIHF644STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
305.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF644STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт" 1.

SIHF730STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 3,5А; Idm: 22А; 74Вт
0.0
SIHF730STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIHF730STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
251.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF730STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 3,5А; Idm: 22А; 74Вт" 1.

SIHF740STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт
0.0
SIHF740STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяSIHF740STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
292.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF740STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж