Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 278

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
103.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
72.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 52А; Idm: 130А; 23Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
122.32 
Доступность: 1902 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
75.69 
Доступность: 2677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
82.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
123.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора186нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
284.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
246.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA24DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
66.51 
Доступность: 2989 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA28BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
181.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA32DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
261.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора194нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
285.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
224.77 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
284.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
203.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
169.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
232.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж