Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 267

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIHFR220TRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR220TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 19А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHFR310-GE3 КорпусDPAK, TO252
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR310-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,1А; Idm: 6А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHFR310TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR310TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,1А; Idm: 6А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIHFR320-GE3 КорпусDPAK, TO252
190.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR320-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIHFR320TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
227.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR320TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIHFR420-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSIHFR420A-GE3 КорпусDPAK, TO252
240.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSIHFR420ATR-GE3 КорпусDPAK, TO252
156.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420ATR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIHFR420TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIHFR420TRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
239.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIHFR430A-GE3 КорпусDPAK, TO252
156.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR430A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIHFR430ATR-GE3 КорпусDPAK, TO252
156.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR430ATR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIHFRC20-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFRC20-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIHFRC20TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
237.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFRC20TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC Код производителяSIHFS9N60A-GE3 КорпусD2PAK, TO263
540.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFS9N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,8А; Idm: 37А; 170Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC Код производителяSIHFZ34S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
160.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFZ34S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 21А; Idm: 120А; 88Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIHFZ48RS-GE3 КорпусD2PAK, TO263
421.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFZ48RS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIHFZ48S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
498.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFZ48S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIHH068N60E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
1 622.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH068N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22А; Idm: 100А; 202Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIHH070N60EF-T1GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
1 534.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH070N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; Idm: 93А; 202Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж