Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 269

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 351.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH27N60EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 47А; 174Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора129нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 159.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH28N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 76А; 202Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
422.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ10N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
444.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ240N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 89Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
363.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ690N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,5А; Idm: 11А; 48Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
340.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ6N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ7N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 17А; 96Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
428.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ8N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 89Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 48А; Idm: 138А; 278Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
2 087.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 267.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK055N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK075N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
626.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL510STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4А; Idm: 18А; 43Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
160.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
160.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL620S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 21А; 50Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL630STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
278.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL640STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусSOT223 МонтажSMD
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLL014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; Idm: 22А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
102.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLL110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,93А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж