Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 273

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
128.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR418DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
171.25 
Доступность: 2528 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR422DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 22,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
88.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR424DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 30А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
179.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR426DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR440DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
79.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4602LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,1А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
117.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4604LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 51А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
214.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
95.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4608DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 42,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
117.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
82.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
142.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
103.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR466DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
376.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
80.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
288.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
172.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж