Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 274

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
233.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR578DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 70,2А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5802DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137,5А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
324.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR582DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 116А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR584DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 250А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
160.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR616DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
106.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR618DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 14,2А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
157.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
241.59 
Доступность: 5650 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
106.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
107.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж