Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 280

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS126DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
262.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS128LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
244.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIS176LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
249.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC Код производителяSIS178LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
233.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS178LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS184DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
359.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS184DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIS322DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
177.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS322DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS402DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
466.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS406DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
132.03 
Доступность: 2982 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIS410DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
290.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS412DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
125.21 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSIS434DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
266.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIS438DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
218.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS438DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 32А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIS444DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS444DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC Код производителяSIS454DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
276.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS454DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS4604LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
258.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIS4608LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
213.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS468DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
325.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIS472ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
131.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIS472BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
161.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS472DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
165.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж