Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 276

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
123.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR696DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR698DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 10А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
73.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
186.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
195.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
240.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR804DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR818DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
152.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR820DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора91нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 86А; Idm: 200А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR836DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 21А; Idm: 50А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
198.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
230.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR862DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
311.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж