Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 277

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
258.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
209.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
226.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR878BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
163.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
408.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
142.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
230.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,22мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
337.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
227.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
149.08 
Доступность: 1975 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,2нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
136.09 
Доступность: 2441 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 140А; 26Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
136.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 59А; Idm: 150А; 24Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж