Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 286

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD08N50C3BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08N50C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD50N03S207GBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
106.47 
Доступность: 1328 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC Код производителяSQ1470AEH-T1_GE3 КорпусSC70, SOT363
150.77 
Доступность: 2883 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяSQ2308CES-T1_GE3 КорпусSOT23
129.47 
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC Код производителяSQ2318AES-T1_GE3 КорпусSOT23
125.21 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSQ2362ES-T1_GE3 КорпусSOT23
134.58 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяSQ2364EES-T1_GE3
149.91 
Доступность: 3124 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC Код производителяSQ2398ES-T1_GE3 КорпусSOT23
165.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSQ3426AEEV-T1_GE3 КорпусTSOP6
86.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC Код производителяSQ3426EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
134.58 
Доступность: 1738 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSQ4050EY-T1_GE3 КорпусSO8
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSQ4850EY-T1_GE3 КорпусSO8
284.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSQ7414CENW-T1_GE3 МонтажSMD
266.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC Код производителяSQA470EEJ-T1_GE3
74.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSQD100N04-3M6L-GE3 КорпусTO252
232.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC Код производителяSQD25N15-52_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
513.63 
Доступность: 1960 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSQD30N05-20L_GE3 КорпусTO252
153.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSQD40052EL_GE3 КорпусTO252
99.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC Код производителяSQD50N04-4M5L_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
474.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC Код производителяSQD50N05-11L-GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
387.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж