Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.98

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IPN80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC КорпусPG-SOT223
198.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-SOT223
166.01 
Доступность: 2825 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC КорпусPG-SOT223
132.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
123.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC КорпусPG-SOT223
115.42 
Доступность: 2068 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R600P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-SOT223
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора17нC КорпусPG-SOT223
226.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусPG-SOT223
245.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPN95R3K7P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
95.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

0.0
IPT004N03LATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора53нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
798.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт" 1.

0.0
IPT007N06NATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора216нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
907.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

0.0
IPT012N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 734.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

0.0
IPT020N10N3ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора156нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 775.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

0.0
IPT029N08N5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора70нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
732.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

0.0
IPT059N15N3ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора69нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 426.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт" 1.

0.0
IPZ40N04S55R4
Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
184.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
IPZ40N04S53R1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
170.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
IRF100S201
Вид каналаобогащенный Заряд затвора255нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
573.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK" 1.

0.0
IRF1010ESTRLPBF
Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
246.64 
Доступность: 277 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK" 1.

0.0
IRF1010NSTRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD
189.72 
Доступность: 775 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж