Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А
0.0
SIA4263DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍42‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А
0.0
SIA4265EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍30‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А
0.0
SIA429DJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍55‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А
0.0
SIA433EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍70‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А
0.0
SIA437DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍68‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А
0.0
SIA441DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍115‍ ₽
Доступность: 2865 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А
0.0
SIA445EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍57‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А
0.0
SIA445EDJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍39‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт
0.0
SIA447DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍73‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт
0.0
SIA449DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А
0.0
SIA461DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍79‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А" 1.

SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А
0.0
SIA469DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍86‍ ₽
Доступность: 2682 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А
0.0
SIA471DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,8нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
‍99‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А
0.0
SIA477EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍43‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А
0.0
SIA477EDJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍39‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А
0.0
SIA483ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
‍31‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 3000.

SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт
0.0
SIA483DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍120‍ ₽
Доступность: 2780 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт" 1.

SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А
0.0
SIA485DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А" 3000.

SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А
0.0
SIA811ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍51‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 3000.

SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А
0.0
SIA817EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍36‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 3000.

SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA921EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA929DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA975DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт
0.0
SIB417EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
‍47‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 3000.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)