Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SISH101DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍154‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SISH129DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍183‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SISH407DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍176‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SISH615ADN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍120‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SISH617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SISH617DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍190‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISH617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SISH625DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍135‍ ₽

Доступность: 5373 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт

0.0

КОД:

SISS05DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍180‍ ₽

Доступность: 2577 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт

0.0

КОД:

SISS23DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍157‍ ₽

Доступность: 8500 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А

0.0

КОД:

SISS27ADN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍175‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А

0.0

КОД:

SISS27DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍138‍ ₽

Доступность: 434 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А

0.0

КОД:

SISS61DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора231нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍199‍ ₽

Доступность: 5708 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А

0.0

КОД:

SISS63DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора236нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍204‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А" 1.

SISS65DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; 75,2А; Idm: -120А

0.0

КОД:

SISS65DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍169‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS65DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; 75,2А; Idm: -120А" 1.

SISS67DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А

0.0

КОД:

SISS67DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍212‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS67DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 1.

SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SISS73DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍277‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А" 1.

SIUD401ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А

0.0

КОД:

SIUD401ED-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍59‍ ₽

Доступность: 6000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SIUD401ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А" 1.

SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А

0.0

КОД:

SIUD403ED-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍27‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А" 1.

SMMBFJ175LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

SMMBFJ175LT1G

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ175LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI

‍120‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SMMBFJ175LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

SMMBFJ177LT1G

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ177LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI

‍62‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

SPB18P06PGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В

‍194‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

SPB80P06PGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В

‍689‍ ₽

Доступность: 447 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

SPD04P10PGBTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В

‍96‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

SPD04P10PLGBTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В

‍201‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

SPD08P06PGBTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В

‍87‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.