Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 49

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
90.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET МонтажSMD
147.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусChipFET МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
67.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
46.64 
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
32.87 
Доступность: 775 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
16.06 
Доступность: 988 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
50.46 
Доступность: 2205 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
35.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
58.87 
Доступность: 1431 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
71.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
28.29 
Доступность: 5210 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
81.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
32.11 
Доступность: 2854 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.82 
Доступность: 1094 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж