Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А
0.0
SQ3481EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍56‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт
0.0
SQ3493EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍61‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
0.0
SQ4153EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍285‍ ₽
Доступность: 2376 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70
0.0
SQA401EEJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А
0.0
SQA405CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍31‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А
0.0
SQA411CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍36‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А
0.0
SQA413CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍29‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD19P06-60L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍332‍ ₽
Доступность: 339 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD40031EL-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍314‍ ₽
Доступность: 1736 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252
0.0
SQD45P03-12-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍360‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт
0.0
SQD50P08-28-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍555‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А
0.0
SQJ409EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍139‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А
0.0
SQJ431AEP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт
0.0
SQJ431EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍350‍ ₽
Доступность: 2707 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт" 1.

SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ443EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍160‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А
0.0
SQJ459EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍134‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А" 3000.

SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ465EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍199‍ ₽
Доступность: 2811 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ481EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍176‍ ₽
Доступность: 2048 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM100P10-19L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍655‍ ₽
Доступность: 729 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт
0.0
SQM120P06-07L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
‍640‍ ₽
Доступность: 251 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А
0.0
SQS141ELNW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍93‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт
0.0
SQS401EN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт" 1.

SSM3J16FS(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75
0.0
SSM3J16FS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
‍13‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SSM3J16FS(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75" 15000.

SSM3J327R,LF(B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD
0.0
SSM3J327R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусSOT23F
‍29‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SSM3J327R,LF(B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)