Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 46

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности144нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO268
2 681.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT90P10P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -100В; -90А; 462Вт; TO268" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора36нC КорпусTO252
701.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY10P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -10А; 83Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности116нс Заряд затвора48нC КорпусTO252
822.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY15P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -15А; 150Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности62нс Заряд затвора39нC КорпусTO252
738.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY18P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности70нс Заряд затвора52нC КорпусTO252
807.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY26P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора11,9нC КорпусTO252 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY2P50PA, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -2А; Idm: -6А; 58Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности26нс Заряд затвора46нC КорпусTO252
522.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY32P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -32А; 83Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности30нс Заряд затвора53нC КорпусTO252
484.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY48P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -48А; 150Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.41 
Доступность: 4147 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
22.94 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусMCPH6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCH6664-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 0,8Вт; MCPH6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
25.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MD06P115-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
66.51 
Доступность: 2465 шт.
 

Минимальное количество для товара "MD06P115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
16.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MD10P380, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,6А; Idm: -9А; 1Вт" 3000.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ175LT1G
77.98 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ175LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 7мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ176
107.80 
Доступность: 2988 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ176, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ177LT1G
57.34 
Доступность: 10845 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ177LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 1,5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ270
100.15 
Доступность: 1994 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ270, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
45.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP2301-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж