Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 204

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
398.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
389.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
284.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
133.79 
Доступность: 2896 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
71.10 
Доступность: 1999 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223" 3.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; Idm: 8,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
118.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
159.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
298.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора16,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC КорпусPG-SOT223
219.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-SOT223
183.49 
Доступность: 2825 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC КорпусPG-SOT223
146.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC КорпусPG-SOT223
130.73 
Доступность: 2055 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж