Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 77

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора203нC Код производителяSI4101DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4101DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,7А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSI4103DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4103DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC Код производителяSI4143DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4143DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,3А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяSI4151DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4151DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,5А; Idm: -150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC Код производителяSI4153DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4153DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -19,3А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSI4401BDY-T1-E3 КорпусSO8
278.91 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSI4401BDY-T1-GE3 КорпусSO8
368.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSI4401DDY-T1-GE3 КорпусSO8
217.69 
Доступность: 2091 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC Код производителяSI4401FDY-T1-GE3 КорпусSO8
222.79 
Доступность: 1351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSI4403CDY-T1-GE3 КорпусSO8
187.07 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC Код производителяSI4403DDY-T1-GE3 КорпусSO8
111.39 
Доступность: 907 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяSI4421DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4421DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяSI4421DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4421DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC Код производителяSI4423DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4423DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC Код производителяSI4423DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4423DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSI4425BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; Idm: -50А; 0,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSI4425BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,4А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI4425DDY-T1-GE3 КорпусSO8
203.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSI4425FDY-T1-GE3 КорпусSO8
192.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI4427BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4427BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -50А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж