Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 90

Производитель
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ177LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
174.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
620.80 
Доступность: 179 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
86.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
181.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
78.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
155.20 
Доступность: 1490 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
263.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
191.13 
Доступность: 2149 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
181.96 
Доступность: 2374 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
273.70 
Доступность: 1059 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-5 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
365.44 
Доступность: 1151 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
345.57 
Доступность: 146 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
308.87 
Доступность: 170 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP18P06PHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
590.21 
Доступность: 74 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP80P06PHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусSC70-6
68.81 
Доступность: 960 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
97.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
87.16 
Доступность: 824 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.87 
Доступность: 2900 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
88.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж