Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 90

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ177LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
55.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPB18P06PGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
286.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPB80P06PGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
779.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD04P10PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
105.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD04P10PLGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
220.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD08P06PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD09P06PLGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
222.79 
Доступность: 1351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD15P10PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
380.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD15P10PLGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
316.33 
Доступность: 2134 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD18P06PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
254.25 
Доступность: 2331 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD30P06PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
340.14 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPD50P03LGBTMA1 КорпусPG-TO252-5 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
433.67 
Доступность: 1135 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPP15P10PLHXKSA1 КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT
430.27 
Доступность: 128 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPP18P06PHXKSA1 КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT
372.45 
Доступность: 353 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP18P06PHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPP80P06PHXKSA1 КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT
707.48 
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP80P06PHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC Код производителяSQ1421EDH-T1_GE3
116.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSQ1431EH-T1_GE3 КорпусSC70-6, SOT363
153.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSQ2301ES-T1_GE3 КорпусSOT23
106.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяSQ2303ES-T1_GE3 КорпусSOT23
101.19 
Доступность: 2870 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяSQ2309ES-T1_GE3 КорпусSOT23
107.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж