Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 84

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSI8483DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8483DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -16А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSI8487DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
166.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI8489EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8489EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,4А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC Код производителяSI8497DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8497DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -13А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI8499DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8499DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI8817DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8817DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8819EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8819EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8821EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8821EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,3А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8823EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8823EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSI8851EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8851EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16,7А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC Код производителяSI9407BDY-T1-GE3 КорпусSO8 МонтажSMD
302.72 
Доступность: 2694 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI9407BDY-T1-E3 КорпусSO8
242.35 
Доступность: 1888 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI9407BDY-T1-GE3 КорпусSO8
290.82 
Доступность: 1848 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI9433BDY-T1-E3 КорпусSO8
250.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI9433BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI9433BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSI9435BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI9933CDY-T1-GE3 КорпусSO8
175.17 
Доступность: 2621 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSIA413ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
95.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSIA413DJ-T1-GE3 МонтажSMD
225.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж