Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 85

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIA421DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA421DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC Код производителяSIA4263DJ-T1-GE3 МонтажSMD
45.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA4265EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
32.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIA427ADJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA427ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSIA429DJT-T1-GE3 МонтажSMD
61.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSIA431DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA431DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIA433EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
78.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSIA437DJ-T1-GE3 МонтажSMD
74.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяSIA441DJ-T1-GE3 МонтажSMD
167.52 
Доступность: 1081 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIA445EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
62.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяSIA445EDJT-T1-GE3 МонтажSMD
43.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIA447DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
98.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIA449DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
126.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIA459EDJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA459EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9А; Idm: -40А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSIA461DJ-T1-GE3 МонтажSMD
114.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIA469DJ-T1-GE3 МонтажSMD
102.89 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,8нC Код производителяSIA471DJ-T1-GE3 МонтажSMD
172.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIA477EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
47.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIA477EDJT-T1-GE3 МонтажSMD
43.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSIA483ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
34.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж