Товары из категории транзисторы, стр.595

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SI1012X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563
50.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD" 3.

0.0
SI1013CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
45.74 
Доступность: 915 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

0.0
SI1016CX-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2/2,5нC
68.22 
Доступность: 2120 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
92.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1022R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC75A
75.19 
Доступность: 3172 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A; ESD" 1.

0.0
SI1024X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
93.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1026X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

0.0
SI1029X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563
113.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
88.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

0.0
SI1032R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC75A
64.34 
Доступность: 2843 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1032R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A" 1.

0.0
SI1034CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

0.0
SI1036X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
63.57 
Доступность: 1967 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

0.0
SI1062X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
42.64 
Доступность: 4844 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
69.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

0.0
SI1302DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70 МонтажSMD
83.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70" 1.

0.0
SI1302DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,86нC КорпусSC70 МонтажSMD
76.74 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70" 1.

0.0
SI1308EDL-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSC70
66.67 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
87.60 
Доступность: 1450 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж