Товары из категории транзисторы, стр.615

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIHB23N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
469.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB24N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
872.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB24N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
868.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB24N65EFT1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
691.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

0.0
SIHB24N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
435.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB25N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
593.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB28N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
868.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB33N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
848.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB33N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 088.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

0.0
SIHB35N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
972.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB35N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
882.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB4N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
393.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

0.0
SIHB6N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
227.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB6N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
500.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

0.0
SIHB8N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
220.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

0.0
SIHD12N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
320.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

0.0
SIHD14N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
310.08 
Доступность: 375 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHD180N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
407.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

0.0
SIHD186N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
423.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

0.0
SIHD1K4N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
177.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж