Товары из категории транзисторы, стр.656

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SPW55N80C3FKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток850В
2 229.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPW55N80C3FKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 850В; 34,7А; Idm: 150А; 500Вт" 1.

0.0
SPZT2222AT1G
Вид упаковкилента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
84.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPZT2222AT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,6А; 1,5Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
SPZT2907AT1G
Вид упаковкилента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
67.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPZT2907AT1G, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 0,6А; 1,5Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
SPZT3904T1G
Вид упаковкилента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
162.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPZT3904T1G, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,2А; 1,5Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
SPZT651T1G
Вид упаковкилента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току40 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
133.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPZT651T1G, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 2А; 0,8Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
SPZT751T1G
Вид упаковкилента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току40 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
202.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPZT751T1G, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 2А; 0,8Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
SPZTA42T1G
Вид упаковкилента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току40 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер300В
78.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPZTA42T1G, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 1,5Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
SQ1421EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусSC70-6
69.77 
Доступность: 1510 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

0.0
SQ1431EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
98.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

0.0
SQ1470AEH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
95.35 
Доступность: 2895 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
59.69 
Доступность: 4325 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

0.0
SQ2301ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
88.37 
Доступность: 829 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2303ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
59.69 
Доступность: 2900 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

0.0
SQ2308CES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
106.98 
Доступность: 1712 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

0.0
SQ2309ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
89.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

0.0
SQ2315ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
97.67 
Доступность: 1392 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2318AES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
103.10 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2319ADS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
132.56 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2319ADS-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2325ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
107.75 
Доступность: 2578 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2337ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
129.46 
Доступность: 1082 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж