Товары из категории транзисторы, стр.83

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
FZT789AQTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...800 МонтажSMD
188.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT789AQTA, Транзистор: PNP; биполярный; 25В; 3А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT789ATA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току300...800 МонтажSMD
157.36 
Доступность: 1015 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT789ATA, Транзистор: PNP; биполярный; 25В; 3А; 1,2Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT790A
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току300...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
135.66 
Доступность: 2057 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT790A, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 3А; 2Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

0.0
FZT790ATA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
151.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT790ATA, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 3А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT792ATA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току300...800 МонтажSMD
144.96 
Доступность: 659 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT792ATA, Транзистор: PNP; биполярный; 70В; 2А; 1,2Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT795ATA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...800 МонтажSMD
139.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT795ATA, Транзистор: PNP; биполярный; 140В; 0,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT796ATA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...800 МонтажSMD
124.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT796ATA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 0,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT849TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
218.60 
Доступность: 103 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT849TA, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 7А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT851QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току25...300 МонтажSMD
236.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT851QTA, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT851TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
195.35 
Доступность: 1531 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT851TA, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT853TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер100В
106.98 
Доступность: 537 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT853TA, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT855TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер150В
182.95 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT855TA, Транзистор: NPN; биполярный; 150В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT857QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер300В
275.19 
Доступность: 926 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT857QTA, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 3,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT857TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
195.35 
Доступность: 121 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT857TA, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 3,5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT869TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току40...450 МонтажSMD
203.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT869TA, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 7А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT948TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току15...300 МонтажSMD
184.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT948TA, Транзистор: PNP; биполярный; 20В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT949TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
231.78 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT949TA, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 5,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT951QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току10...300 МонтажSMD
226.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT951QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT951TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
181.40 
Доступность: 755 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT951TA, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT953QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току15...200 МонтажSMD
184.50 
Доступность: 997 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT953QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT953TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
172.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT953TA, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT956QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току10...300 МонтажSMD
193.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT956QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT956TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер200В
231.78 
Доступность: 326 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT956TA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT957TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
239.53 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT957TA, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 1А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT958TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
118.60 
Доступность: 954 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT958TA, Транзистор: PNP; биполярный; 400В; 0,5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT968TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току50...1000 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT968TA, Транзистор: PNP; биполярный; 12В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
976.74 
Доступность: 187 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
990.70 
Доступность: 845 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 737.98 
Доступность: 383 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 062.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 581.40 
Доступность: 569 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
8 536.43 
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
16 840.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
17 488.37 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 643.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 483.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
573.64 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
682.17 
Доступность: 728 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 646.51 
Доступность: 109 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 294.57 
Доступность: 277 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 094.57 
Доступность: 85 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
948.84 
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
4 142.64 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 021.71 
Доступность: 287 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 595.35 
Доступность: 51 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 350.39 
Доступность: 453 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
GAN041-650WSBQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
1 613.95 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
GAN063-650WSAQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
2 872.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
HCT7000M-TTE
Обозначение производителяHCT7000M ПроизводительTT ELECTRONICS
4 511.63 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "HCT7000M, HCT7000M" 3.

0.0
HD1750FX
Вид упаковкитуба КорпусISOWATT218FX МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер800В Обозначение производителяHD1750FX
755.04 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "HD1750FX, Транзистор: NPN; биполярный; 800В; 24А; 75Вт; ISOWATT218FX" 1.

0.0
HFA3102BZ
Вид транзистораRF КорпусSO14 Коэффициент усиления по току70 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер
1 358.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3102BZ, Транзистор: NPN x6; биполярный; RF; 8В; 30мА; 250мВт; SO14" 1.

0.0
HFA3127BZ
Вид транзистораRF КорпусSO16 Коэффициент усиления по току130 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
2 024.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3127BZ, Транзистор: NPN x5; биполярный; RF; 12В; 37мА; 150мВт; SO16" 1.

0.0
HFA3127RZ
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусQFN16 Коэффициент усиления по току130 МонтажSMD
1 897.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3127RZ, Транзистор: NPN x5; биполярный; RF; 12В; 37мА; 150мВт; QFN16" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
248.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
131.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HUF75321P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC КорпусTO220AB МонтажTHT
181.40 
Доступность: 99 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75321P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 31А; 93Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75332P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора85нC КорпусTO220AB МонтажTHT
289.92 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75332P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75339P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC КорпусTO220AB МонтажTHT
238.76 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75339P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 200Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75344G3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора7нC КорпусTO247 МонтажTHT
631.01 
Доступность: 147 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75344G3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 285Вт; TO247" 1.

0.0
HUF75344P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220AB МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
525.58 
Доступность: 49 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75344P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 285Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75345P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора275нC КорпусTO220AB МонтажTHT
432.56 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75345P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 325Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75545P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC КорпусTO220AB МонтажTHT
356.59 
Доступность: 130 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75545P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 73А; 270Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75639G3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
615.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF75639G3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO247" 1.

0.0
HUF75639P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC КорпусTO220AB МонтажTHT
452.71 
Доступность: 33 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75639P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75639S3ST
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK МонтажSMD
468.22 
Доступность: 756 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK" 1.

0.0
HUF75645P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора238нC КорпусTO220AB МонтажTHT
418.60 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75645P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 65А; 310Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75652G3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора475нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 475.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF75652G3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 75А; 515Вт; TO247" 1.

0.0
HUF76423P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусTO220AB МонтажTHT
330.23 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF76423P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 23А; 85Вт; TO220AB" 1.

0.0
IAUA200N04S5N010
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
314.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

0.0
IAUS165N08S5N029
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOG-8 МонтажSMD
558.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

0.0
IAUT300N08S5N012
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
768.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

0.0
IGOT60R070D1AUMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
4 455.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

0.0
IGT60R190D1SATMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 103.88 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

0.0
IMB10AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
53.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB10AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMB11AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB11AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMB2AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
13.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB2AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 10.

0.0
IMB3AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
89.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB3AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH11AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH11AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж