Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 51

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC Код производителяRF4L040ATTCR КорпусDFN2020-8S
121.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC Код производителяRF6C055BCTCR КорпусSOT363T
186.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC Код производителяRF6E045AJTCR КорпусSOT363T
121.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяRHK003N06FRAT146 КорпусSMT3
105.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяRHP020N06FRAT100 КорпусMPT3
67.16 
Доступность: 671 шт.
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяRHP020N06T100 КорпусMPT3
165.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRHP030N03T100 КорпусMPT3
184.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC Код производителяRHU002N06FRAT106 КорпусUMT3
74.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRHU003N03FRAT106 КорпусUMT3 МонтажSMD
42.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяRJ1G12BGNTLL КорпусD2PAK
359.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1G12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC Код производителяRJ1L12BGNTLL КорпусD2PAK
392.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1L12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 240А; 192Вт; D2PAK" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяRJ1P12BBDTLL КорпусD2PAK
313.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1P12BBDTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRJK005N03FRAT146 КорпусSMT3
72.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRJP020N06FRAT100 КорпусMPT3
168.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRJP020N06T100 КорпусMPT3
203.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRJU002N06FRAT106 КорпусUMT3 МонтажSMD
60.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRJU003N03FRAT106 КорпусSC70, SOT323
65.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяRK7002AT116 КорпусSST3
17.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRK7002BMHZGT116 КорпусSST3 МонтажSMD
34.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRK7002BMT116 КорпусSOT23
28.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения