Товары от производителя VISHAY - страница 1243

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8819EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8821EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,3А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8823EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8824EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8851EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16,7А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток24В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8902AEDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 24В; 11А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
253.74 
Доступность: 2831 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
203.14 
Доступность: 470 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
243.76 
Доступность: 1886 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
210.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
65.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора33нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
271.56 
Доступность: 630 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSO8 МонтажSMD
279.40 
Доступность: 2300 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
146.83 
Доступность: 753 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
178.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9945BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки