Товары от производителя VISHAY - страница 1279

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
110.01 
Доступность: 2982 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора168нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS407ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -70А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
228.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
242.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
104.33 
Доступность: 2282 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
138.40 
Доступность: 2380 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
162.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
161.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
81.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
222.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
134.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
182.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS438DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 32А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
299.50 
Доступность: 2371 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
129.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS444DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора181нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
159.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
230.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS454DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
215.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
178.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
271.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
109.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки