Товары из категории полупроводники - страница 1780

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC Код производителяIPB60R180C7ATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD
368.82 
Доступность: 928 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора25нC Код производителяIPB60R180P7ATMA1 КорпусD2PAK
387.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R190C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R199CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
652.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R250CPATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3-2" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R280C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
425.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC Код производителяIPB60R280P7ATMA1 КорпусD2PAK
415.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R299CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
551.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора13нC Код производителяIPB60R360P7ATMA1 КорпусD2PAK
270.02 
Доступность: 870 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R385CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
438.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB64N25S320ATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB64N25S320ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 250В; 46А; Idm: 256А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R045C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
4 063.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R065C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
2 462.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R099C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 637.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R110CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 566.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R150CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
764.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R190C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
691.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R190CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
682.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R280E6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
528.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R310CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
466.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж