Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории полупроводники - страница 1779

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Oптоэлектроника
Автоматика
Автомобильная аудиосистема
Вентиляторы, сис. охлаждения и нагрева
Источники звука
Источники света
Источники энергии
Компьютерные аксессуары
Корпуса
Механические элементы
Неклассифицированные
Оборудование мастерских
Пассивные элементы
Переключатели и индикаторы
Пневматика и гидравлика
Предохранители и защитные устройства
Провода и кабели
Разъeмы
Реле и контакторы
Робототехника и макетирование
Системы Embedded и IoT
Трансформаторы и сердечники
Без категории
Кабельные наконечники
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB200N25N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 189.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB320N20N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB320N20N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
649.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB407N30NATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB407N30NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 244.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R140CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R140CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
277.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3" 1000.

IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R199CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R199CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
665.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R250CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R250CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
509.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R299CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R299CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
470.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB530N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB530N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
230.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB600N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB600N25N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
637.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
0.0
IPB60R060P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC Код производителяIPB60R060P7ATMA1 КорпусD2PAK
882.45 ₽
Доступность: 998 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
0.0
IPB60R080P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC Код производителяIPB60R080P7ATMA1 КорпусD2PAK
874.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R099C6
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099C6 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R099C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 141.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC Код производителяIPB60R099C7ATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD
925.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2
0.0
IPB60R099CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099CPATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 310.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC Код производителяIPB60R099P7ATMA1 КорпусD2PAK
774.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK" 1.

IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK
0.0
IPB60R120P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC Код производителяIPB60R120P7ATMA1 КорпусD2PAK
560.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R125C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R125C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R160C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R160C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
869.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R165CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R165CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
785.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж