Товары из категории полупроводники - страница 2026

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI2319DS-T1-GE3 КорпусSOT23
140.43 
Доступность: 1724 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI2323CDS-T1-BE3 КорпусSOT23
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI2323CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
138.72 
Доступность: 577 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC Код производителяSI2323DDS-T1-GE3 КорпусSOT23
120.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI2323DS-T1-E3 КорпусSOT23
80.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI2323DS-T1-GE3 КорпусSOT23
183.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяSI2324DS-T1-GE3 КорпусSOT23
91.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI2325DS-T1-E3 КорпусSOT23
285.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC Код производителяSI2325DS-T1-GE3 КорпусSOT23
274.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI2328DS-T1-E3 КорпусSOT23
252.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяSI2328DS-T1-GE3 КорпусSOT23
196.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC Код производителяSI2329DS-T1-GE3 КорпусSOT23
164.26 
Доступность: 2293 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI2333-TP КорпусSOT23
51.91 
Доступность: 511 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI2333CDS-T1-E3 КорпусSOT23
164.26 
Доступность: 2883 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI2333CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
196.60 
Доступность: 91 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяSI2333DDS-T1-GE3 КорпусSOT23
115.74 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI2333DS-T1-E3 КорпусSOT23
159.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI2333DS-T1-GE3 КорпусSOT23
162.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7нC Код производителяSI2336DS-T1-GE3 КорпусSOT23
114.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI2337DS-T1-E3 КорпусSOT23
183.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж