Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 71

Производитель
Вид упаковкитуба Время включения93нс Время выключения305нс Заряд затвора213нC КорпусTO247-3
1 181.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGWX5TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 174Вт; TO247-3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD066HDS 27891200
81 855.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD066HDS 27891200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD126HDS 27890730
105 329.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD126HDS 27890730, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD12E4S 27890195
94 919.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD12E4S 27890195, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12M7P 27896100
119 617.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12M7P 27896100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12T4P 27896010
113 086.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX126DGL22P 27896300
96 756.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12E4S 27890102
37 558.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12VS 27890103
41 030.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAR12E4S 27890104
37 150.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12E4S 27890100
48 786.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12VS 27890101
56 135.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB17E4S 27892100
59 196.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD066HDS 27891210
100 634.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD126HDS 27890731
129 008.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12E4S 27890200
47 561.00 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12VS 27890201
143 501.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX155MLI07E4 21919410
122 068.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12M7P 27896110
130 029.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12T4P 27896020
143 296.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж