Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 39

Фильтры товаров
Тип транзистора
Полярность
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Усиление
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSI5902BDC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSI5902BDC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSI5908DC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSI5908DC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSI5922DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5922DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 24А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI5935CDC-T1-GE3 КорпусChipFET
121.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI5936DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5936DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI5948DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5948DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 10А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23/51нC Код производителяSI6562CDQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSI6913DQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSI6913DQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяSI6926ADQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
239.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяSI6926ADQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
106.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI6968BEDQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6968BEDQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI6968BEDQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6968BEDQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI7212DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7212DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI7212DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7212DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI7216DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI7216DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI7220DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7220DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж