Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 42

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
44.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
53.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
51.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
36.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
42.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23-6
62.69 
Доступность: 1780 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC КорпусSOT23-6
45.11 
Доступность: 2185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
217.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
54.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
169.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
172.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
281.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
278.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
201.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
342.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30/28нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
91.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/23нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
117.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж