Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 34

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы многоканальные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Фильтры товаров
Тип транзистора
Полярность
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Усиление
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC Код производителяQS8M51FRATR КорпусTSMD8
129.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC Код производителяQS8M51TR КорпусTSMD8
294.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

SH8J31GZETB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
0.0
SH8J31GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSH8J31GZETB
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8J31GZETB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
0.0
SH8J62TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSH8J62TB1
312.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

SH8J65TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD
0.0
SH8J65TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSH8J65TB1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8J65TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

SH8J66TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8; ESD
0.0
SH8J66TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяSH8J66TB1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8J66TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

SH8JB5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8
0.0
SH8JB5TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSH8JB5TB1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8JB5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8" 1.

SH8JC5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SO8
0.0
SH8JC5TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSH8JC5TB1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8JC5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SO8" 1.

SH8K11GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K11GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC Код производителяSH8K11GZETB
54.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K11GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 3.

SH8K25GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K25GZ0TB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяSH8K25GZ0TB
151.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K25GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K26GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K26GZ0TB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяSH8K26GZ0TB
95.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K26GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K32GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K32GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSH8K32GZETB
164.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K32GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K32TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K32TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSH8K32TB1
381.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K32TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K37GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K37GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,7нC Код производителяSH8K37GZETB
237.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K37GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K39GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 13А; Idm: 30А; 5,8Вт; SOP8
0.0
SH8K39GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSH8K39GZETB
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K39GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 13А; Idm: 30А; 5,8Вт; SOP8" 1.

SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8K41GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSH8K41GZETB
210.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K52GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяSH8K52GZETB
149.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8KA2GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSH8KA2GZETB
242.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8
0.0
SH8KA4TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC Код производителяSH8KA4TB КорпусSOP8
79.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8" 1.

SH8KA7GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 15А; Idm: 30А; 4,6Вт; SOP8
0.0
SH8KA7GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSH8KA7GZETB
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA7GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 15А; Idm: 30А; 4,6Вт; SOP8" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж