Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 36

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
64.22 
Доступность: 2340 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD
59.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1965DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1965DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363
60.40 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
178.13 
Доступность: 2168 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
119.27 
Доступность: 1272 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/4,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 3/-2А; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5/6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3932DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,7А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4214DDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8,5А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
169.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусSO8 МонтажSMD
134.56 
Доступность: 4396 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42/25нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4501BDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-8В; 12/-8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8 МонтажSMD
105.50 
Доступность: 2240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж