Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 41

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7942DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7942DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7946ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7956DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7956DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7972DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 8А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7994DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
432.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7998DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 25/30А; 22/40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток24В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8902AEDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 24В; 11А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора33нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
189.60 
Доступность: 631 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
136.85 
Доступность: 2580 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
49.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
53.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
42.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
45.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
49.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж