Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы многоканальные

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
P12LF10SLKD-5071, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт
0.0
P12LF10SLKD-5071
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусLF (MO235B similar) МонтажSMD
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "P12LF10SLKD-5071, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт" 1.

PJL9850_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8
0.0
PJL9850-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍104‍ ₽
Доступность: 5047 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJL9850_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8" 1.

PJQ4848P_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 120А; 39,6Вт
0.0
PJQ4848P-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍165‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ4848P_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 120А; 39,6Вт" 1.

PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт
0.0
PJQ5948-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍210‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт" 1.

PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт
0.0
PJQ5948V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍220‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт" 1.

PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
0.0
PJS6601-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6/5,4нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
‍68‍ ₽
Доступность: 2688 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт" 1.

PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт
0.0
PJS6816-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍81‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт" 1.

PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
0.0
PJS6839-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍58‍ ₽
Доступность: 2949 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
0.0
PJT138K-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍46‍ ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
0.0
PJT7600-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Доступность: 2695 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7600-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001
‍46‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
0.0
PJT7603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍47‍ ₽
Доступность: 2880 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7605-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1
‍150‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
0.0
PJT7800-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍61‍ ₽
Доступность: 5978 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
0.0
PJT7801-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍80‍ ₽
Доступность: 2845 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт
0.0
PJT7828-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍61‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт
0.0
PJT7838-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD
‍79‍ ₽
Доступность: 7648 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
0.0
PJX138K-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
‍46‍ ₽
Доступность: 3935 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563
0.0
PJX138L-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD Обозначение производителяPJX138L_R1_00002
‍84‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563" 1.

PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
0.0
PJX8603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
‍54‍ ₽
Доступность: 1927 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А
0.0
PMDXB950UPEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
‍81‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А" 1.

PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт
0.0
PMGD280UN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,89нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
‍44‍ ₽
Доступность: 2678 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт" 1.

PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
PMGD290UCEAX
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/1,14нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6
‍74‍ ₽
Доступность: 1155 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой
0.0
PMGD290XN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяPMGD290XN,115 Полярностьполевой
‍55‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт
0.0
PMGD780SN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,05нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
‍63‍ ₽
Доступность: 1349 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт" 1.

PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А
0.0
PSMN013-40VLDX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,4нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
‍188‍ ₽
Доступность: 1500 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А" 1.

PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт
0.0
PSMN4R2-40VSHX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
‍402‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт" 1.

QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8JA1TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍217‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8JB5TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍244‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт
0.0
QH8JC5TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍284‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт" 1.

QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8
0.0
QH8K26TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусTSMT8
‍166‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8" 1.

QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8KA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍57‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8KA4TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT8
‍257‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт
0.0
QH8M22TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6/9,5нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт" 1.

QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт
0.0
QH8MA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8/8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт" 1.

QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт
0.0
QH8MA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт" 1.

QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт
0.0
QH8MA4TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍217‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт" 1.

QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25
0.0
QS5K2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Конструкция диодаобщий источник
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25" 1.

QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6J11TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTSMT6
‍122‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт
0.0
QS6J1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6
‍121‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.

QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K1FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍87‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6
‍137‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K21FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
‍160‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6
0.0
QS6M4TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт
0.0
QS8J13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTSMT8
‍200‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSMT8
‍235‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8
‍219‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8K11TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT8
‍179‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8
0.0
QS8K13TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусTSMD8
‍220‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт
0.0
QS8M31TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
‍175‍ ₽
Доступность: 978 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
‍139‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
‍202‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
0.0
SH8J62TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8
‍257‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

SH8K11GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K11GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусSOP8
‍59‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K11GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 3.

SH8K25GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K25GZ0TB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOP8
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K25GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K26GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K26GZ0TB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOP8
‍93‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K26GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K32GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K32GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
‍179‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K32GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K32TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K32TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
‍308‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K32TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K37GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K37GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,7нC КорпусSOP8
‍221‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K37GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8K41GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOP8
‍187‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K52GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
‍162‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8KA2GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOP8
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8
0.0
SH8KA4TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍87‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8" 1.

SH8KC6TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8KC6TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOP8
‍201‍ ₽
Доступность: 22 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SH8KC6TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8M24TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-6А; Idm: 14÷18А; 3,1Вт
0.0
SH8M24TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8/13нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍329‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8M24TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-6А; Idm: 14÷18А; 3,1Вт" 1.

SH8M41GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8M41GZETB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍267‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8M41GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8M41TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍280‍ ₽
Доступность: 1691 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8MA2GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А; SOP8
0.0
SH8MA2GZETB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/6,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8MA2GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А; SOP8" 1.

SH8MA3TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт
0.0
SH8MA3TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8MA3TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт" 1.

SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт
0.0
SH8MA4TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍198‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт" 1.

SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
0.0
SI1016CX-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2/2,5нC
‍75‍ ₽
Доступность: 2330 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт
0.0
SI1024X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563
0.0
SI1026X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍126‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
0.0
SI1029X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563
‍125‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563
0.0
SI1034CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍71‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А
0.0
SI1036X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍70‍ ₽
Доступность: 1977 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА
0.0
SI1553CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
‍99‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70
0.0
SI1902CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍71‍ ₽
Доступность: 2500 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А
0.0
SI1902DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍66‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 3.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)