Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 130

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток
119.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
145.96 
Доступность: 53 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
105.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
4 264.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0080-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 008.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0120-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 036.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
14 943.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
38 455.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
59 207.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C КорпусTO268AAHV МонтажSMD
28 746.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
66 060.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусMCPH3 МонтажSMD
53.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCH3474-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1Вт; MCPH3; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусDPAK МонтажSMD
148.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCU04N60-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
68.11 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "MGSF1N02LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,75А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
76.35 
Доступность: 1049 шт.
 

Минимальное количество для товара "MGSF2N02ELT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD
4 892.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
48.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMBF0201NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,24А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.42 
Доступность: 2168 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
44.91 
Доступность: 6489 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170-7-F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 0,8А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж