Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 136

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
56.14 
Доступность: 4615 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTGS4141NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
29.94 
Доступность: 2000 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SC70-6,SC88,SOT363" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
40.42 
Доступность: 687 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3043NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,185А; 0,44Вт; SOT723; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
80.84 
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3134NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,64А; 0,45Вт; SOT723" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
521.71 
Доступность: 842 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C604NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 203А; 100Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
142.96 
Доступность: 1300 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C670NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C673NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 23Вт; DFN5x6" 1500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
75.60 
Доступность: 2715 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR3C21NZT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,6А; 0,47Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
16.47 
Доступность: 4650 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4003NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,56А; 0,69Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
5.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,4А; 0,83Вт; SOT23" 10000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
65.12 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4170NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
35.18 
Доступность: 8611 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4501NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,81нC КорпусSOT23 МонтажSMD
29.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR5103NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.37 
Доступность: 5680 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,6А; 0,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
28.44 
Доступность: 759 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,2А; 0,33Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
52.40 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4409NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,75А; 0,28Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусDPAK МонтажSMD
156.44 
Доступность: 1712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVD5C688NLT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
218.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
544.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5C430NLAFT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
38.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,37А; 0,69Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж