Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 138

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB014N06NATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
779.76 ₽
Доступность: 27 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC Код производителяIPB015N04LGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
626.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB015N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
985.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB015N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
770.41 ₽
Доступность: 997 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB016N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB016N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
801.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
929.42 ₽
Доступность: 787 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 097.79 ₽
Доступность: 960 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB019N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
461.73 ₽
Доступность: 622 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB019N08N3G
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB019N08N3G КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB020N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; 167Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB020N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; 167Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB020N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB020N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB020N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB020N10N5LF
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N10N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB024N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
609.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB025N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
710.88 ₽
Доступность: 652 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB025N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 124.15 ₽
Доступность: 865 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB026N06NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
494.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB027N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
784.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB027N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB027N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB027N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB029N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB029N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
414.97 ₽
Доступность: 970 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж