Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 129

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO252 МонтажSMD
392.22 
Доступность: 74 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности700нс Заряд затвора9нC КорпусTO252
245.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 42Вт; TO252; 700нс" 350.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Заряд затвора17,8нC КорпусTO252
434.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252
791.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252HV
574.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120PHV, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора645нC КорпусTO252
693.11 
Доступность: 370 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора23,7нC КорпусTO252
609.28 
Доступность: 331 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности800нс КорпусTO252 МонтажSMD
599.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY2N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности137нс Заряд затвора4,3нC КорпусTO252
419.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY2N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 2А; 55Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора9,3нC КорпусTO252
59.13 
Доступность: 32 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY3N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности60нс КорпусTO252 МонтажSMD
437.87 
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY44N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 44А; 130Вт; TO252; 60нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности160нс Заряд затвора8,3нC КорпусTO252
470.81 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY4N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 4А; 80Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
354.04 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
521.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.98 
Доступность: 1520 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.23 
Доступность: 5370 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
17.96 
Доступность: 3290 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 587.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 074.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж