Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 137

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяIAUT300N08S5N014ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N014ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 300Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора216нC Код производителяIAUT300N10S5N014ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N10S5N014ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 46А; Idm: 1315А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяIAUT300N10S5N015ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N10S5N015ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяIAUZ18N10S5L420ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ18N10S5L420ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; Idm: 72А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяIAUZ20N08S5L300ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ20N08S5L300ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 14А; Idm: 80А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,1нC Код производителяIAUZ30N08S5N186ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ30N08S5N186ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 7А; Idm: 120А; 41Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяIAUZ30N10S5L240ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ30N10S5L240ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 120А; 45,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,7нC Код производителяIAUZ40N06S5L050ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5L050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 252А; 71Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30,5нC Код производителяIAUZ40N06S5N050ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5N050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14А; Idm: 241А; 71Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,3нC Код производителяIAUZ40N06S5N105ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5N105ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 120А; 42Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,2нC Код производителяIAUZ40N08S5N100ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N08S5N100ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; Idm: 160А; 68Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,6нC Код производителяIAUZ40N10S5L120ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N10S5L120ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9А; Idm: 160А; 62Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяIAUZ40N10S5N130ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N10S5N130ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 160А; 68Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC Код производителяIGOT60R070D1AUMA1
5 449.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC Код производителяIGT60R070D1ATMA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC Код производителяIGT60R190D1SATMA1
1 331.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB009N03LGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB009N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB010N06NATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 638.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB011N04LGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1000.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB011N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж