Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 152

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R2K1CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
118.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R360P7SATMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R3K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN60R600P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
159.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN70R1K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
298.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN70R1K5CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
111.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN70R360P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора16,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN70R900P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC КорпусPG-SOT223
219.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-SOT223
183.49 ₽
Доступность: 2825 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC КорпусPG-SOT223
146.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
136.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC КорпусPG-SOT223
130.73 ₽
Доступность: 2055 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R600P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-SOT223
272.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора17нC КорпусPG-SOT223
250.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусPG-SOT223
263.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусPG-SOT223
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-SOT223
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R3K7P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
106.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт
0.0
IPT004N03LATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора53нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
883.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж